Ge-doping dependence of gamma-ray induced germanium lone pair centers in Ge-doped silica
- Autori: ALESSI A; AGNELLO S; GELARDI FM; BOSCAINO R
- Anno di pubblicazione: 2008
- Tipologia: Articolo in rivista (Articolo in rivista)
- Parole Chiave: sistemi amorfi, difetti di punto
- OA Link: http://hdl.handle.net/10447/39336