Salta al contenuto principale
Passa alla visualizzazione normale.

MAURO MOSCA

Suppression of leakage currents in GaN-based LEDs induced by reactive-ion etching damages

  • Autori: MOSCA M; A CASTIGLIA; H-J BUEHLMANN; J DORSAZ; E FELTIN; J-F CARLIN; N GRANDJEAN
  • Anno di pubblicazione: 2008
  • Tipologia: Articolo in rivista
  • OA Link: http://hdl.handle.net/10447/12102