Influence of Ge doping level on the EPR signal of Ge(1), Ge(2) and E’Ge defects in Ge-doped silica
- Autori: Alessi, A; Agnello, S; Gelardi, FM; Messina, G; Carpanese, M
- Anno di pubblicazione: 2010
- Tipologia: Proceedings
- OA Link: http://hdl.handle.net/10447/58085