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1. Seminario (100%)
15-nov-2019 11.36.23Seminario articolo,seminario, semiconduttori ad ampia banda proibita, materiali 2D Mercoledi 20 Novembre 2019 Aula B, DIFC, Via Archirafi 36, ore 15:00-16:00 Materiali avanzati ed eterostrutture per dispositivi di potenza ed alta frequenza ad elevata efficienza energetica Dr. F. Roccaforte, Dr. F. Giannazzo, Consiglio Nazionale delle Ricerche – Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, 5- Zona Industriale, Catania Italy L’abstract del seminario può essere
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2. Abstract_CNR-IMM-191120 (26%)
15-nov-2019 11.33.52semiconduttori ad ampia banda proibita (il carburo di silicio (SiC) ed il nitruro di gallio (GaN
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3. Abstract_fabfil (26%)
20-nov-2017 8.25.07. In particolare, saranno descritte le proprietà ed i vantaggi dei semiconduttori ad ampia banda proibita (il carburo di silicio (SiC) ed il nitruro di gallio (GaN)) rispetto al silicio, illustrando